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编辑-Z什么是光伏二极管，光伏二极管的作用是什么？光伏二极管包括多种电极管，各有其作用。 1、阻塞二极管。阻塞二极管放置在组件和电池之间的正极线上，以防止电池电流在夜间或阴天回流到光伏阵列，一些控制器包含一个二极管即可实现这一功能的防反电路。 2、旁路二极管。旁路二极管与组件并联放置，用于在模块上出现阴影时将转移通过电池或模块的电流。大多数组件中的旁路二极管已预先连接。当方阵电

编辑-Z开关电源的输出整流管一般采用快恢复二极管（FRD）、超快恢复二极管（SRD）或肖特基二极管（SBD）。MHCHXM超快恢复二极管SFF1604为什么是开关电源的常客？SFF1604具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装方便等优点。 超快恢复二极管SFF1604的选择 1、SFF1604的反向恢复时间反向恢复时间trr的定义是：电流从正向变为反向经过零点

编辑-Z50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。理想情况下，整流桥DB207的导通角应为180°（导通范围为0°到180°），但由于滤波电容C的作用，只能在很短的时间内接近交流峰值电压，输入电流才流过整流桥给C充电。50Hz交流电的半周期为10ms，整流桥的导通时间为tC≈3ms，其导通角仅为54°（导通范围为36°～90°）。因此，整流桥DB207

编辑-Z场效应晶体管又称场效应管，简称FET，大功率场效应管是一种半导体放大器件。场效应管不仅具有晶体管体积小、省电、耐用等优点。具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、功耗低、动态范围大、安全工作区宽等优点。下面是ASEMI大功率场效应管和三极管的区别。 大功率场效应管与三极管的比较 大功率场效应管施加电压的极性与我们使用的普通三极管相同。 N沟道类似于NPN型三极管。漏极D连接

编辑-Z由六个整流二极管组成的电路称为三相整流桥电路。提到三相整流桥的出现，是因为功率的增加和要求的提高。 在了解ASEMI三相整流桥的工作原理之前，首先要知道三相整流桥是如何组成的。如下图所示，三相整流桥接6个整流二极管，二极管的特性：正极电位高于负极，则二极管导通；当正极电位低于负极时，二极管截止。 从接线图不难看出，该电路的特点是：在任何时候，整流电流都从三相电中最高一相

编辑-Z开关电源由高频磁芯、高频电容、高背压大功率晶体管、功率整流二极管和控制电路等主要元件组成。其中整流二极管是关键部件，由于其功耗最大，约占功耗的30%，因此要求整流二极管在高速度和大电流下具有正向压降小、开关时间短的特点。那么ASEMI肖特基二极管和超快恢复二极管在开关电源中的对比哪个比较好呢？ 实际上，广泛使用的整流二极管主要有两种：一种是超快恢复二极管，另一种是肖特基势垒二极管

编辑-Z高频开关整流器一般是先将交流电通过二极管直接整流滤波成直流电，再通过开关电源转换成高频交流电。通过高频变压器变压隔离后，由快恢复二极管SFF1004高频整流、电感电容滤波后输出。那么MHCHXM超快恢复二极管SFF1004在开关电源中的意义是什么呢？ SFF1004参数描述型号：SFF1004封装：TO-220AB电性参数：10A 400V芯片材质：硅正向电流(Io)：

编辑-ZMOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。因此，60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起，或装在金属箔内，使G极和S极等电位，以防止静电荷的积累。不使用管子时，所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量

编辑-Z根据其应用方式，MOS管25N120的主要作用是：1、做放大管；2、做高速管；3、做电流镜管；4、做开关。 25N120参数描述型号：25N120封装：TO-247集电极-发射极电压（VCES）：1200V集电极电流（IC）：25A栅极-发射极电压（VGES）：±20V功耗（PD）：310WG-E漏电流（IGES）：±100nAG-E阈值电压（VGE(th)）：7.5V输出电容（

编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为9

编辑-Z7N60极限参数： （1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额；（2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额；（3）PDSM，最大耗散功率，是指7N60性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管的实际功耗应小于PDSM，并有一定的余量。

编辑-Z圆桥系列不同于贴片桥堆。最明显的区别是四个引脚的长度不相等，这也是区分圆桥桥堆正负极的一个极其关键的部分。仔细看2W10圆桥堆，你会发现会有一个引脚比其他三个长，这个长的引脚是正极，另一个与其相对的引脚是负极。另外两个引脚也是输入端，属于交流端，不分正负极，下面是ASEMI整流桥2W10中文资料。 功能圆桥2W10之参数介绍电性参数：2A 1000V芯片材质：GPP正向电流(Io

编辑-Z贴片整流桥MB6S那是鼎鼎大名，相信很多电子工程师即使没用过也听说过，因为它的应用实在是太广泛了，各种小功率充电器，电源都离不开它的身影，但是作为大哥的MB10S为何却没怎么听说过呢？ASEMI整流桥MBS家族的小弟MB6S为何比大哥MB10S还出名？首先我们来看一下它们的参数差异。 MB6S参数描述型号：MB6S封装：MBS-4特性：贴片整流桥电性参数：1A 600V芯片材质：

编辑-Z10N65在TO-220F封装里的栅极阈值电压(VGS)为30V，是一款高速大电流MOS管。10N65的浪涌电流Ifsm为40A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N65的功耗(PD)是65W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.8Ω。10N65的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为650V，反向恢复时间(Trr)为32

编辑-Z为什么要检测mos管的好坏？为了保护板上的其他元件，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。 当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该端后，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。因此，在使用前

编辑-ZMBR30300VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR30300VCT的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR30300VCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30300VCT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为300V，正向电压(VF)为0.74V，其中有

编辑-ZASEMI肖特基二极管MBR30300FCT图片：型号：MBR30300FCT最大重复峰值反向电压（VRRM）：300V最大RMS电桥输入电压（VRMS）：210V最大直流阻断电压（VDC）：300V最大平均正向整流输出电流（IF）：30A峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +175℃最大瞬时正向压降（VF）：0.76V最大直流反向