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10N65 在 TO-220F 封装里 的 栅极阈值电压(VGS) 为 30V ，是一款 高速大电流 MOS 管 。 10N65 的浪涌电流Ifsm 为 40 A ，零栅极电压漏极电流 (IDSS) 为 10uA ，其工作时耐温度范围为 - 55 ~1 50 摄氏度。 10N65 的 功耗 (PD) 是 65W ，静态漏源导通电阻(RDS(ON)) 为 0.8Ω 。 10N65 的电性参数是：正向电流(Io) 为 10 A ，反向耐压为 650 V ，反向恢复时间 (Trr) 为 320NS ，其中有 4 条引线。
10N65 参数描述
型号： 10N65
封装： TO-220F
特性： 高速大电流 MOS 管
电性参数： 10 A 65 0V
栅极阈值电压 (VGS) ： 30V
正向电流 (Io) ： 10 A
功耗 (PD) ： 65W
静态漏源导通电阻 (RDS(ON)) ： 0.8 Ω
浪涌电流 Ifsm ： 40 A
零栅极电压漏极电流 (IDSS) ： 10u A
反向恢复时间 (Trr) ： 320NS
工作温度： -55~+1 50 ℃
引线数量： 3
10N65 场效应管 封装系列。它的本体 长 度为 15.87 mm ， 加引脚长度为 28.8mm ，宽 度为 10.16 mm ，高度为 4.7 mm ， 脚间距为 2.54mm 。
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