首页 > 人工智能 > 深度学习 > ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现
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根据其应用方式,MOS 管 25N120 的主要作用是:
1 、 做 放大管;
2 、 做高速管;
3 、 做 电流镜管;
4 、做开关 。
25N120 参数描述
型号: 25N120
封装: TO-247
集电极- 发射极电压( VCES ): 12 00V
集电极电流(I C ):2 5 A
栅极- 发射极电压( VGES ): ± 2 0V
功耗(PD ): 310 W
G-E 漏电流( IGES ): ± 100n A
G-E 阈值电压( VGE(th) ): 7.5 V
输出电容(COSS ): 180 pF
脉冲集电极电流( I CM ): 75 A
开启延迟时间(td(on) ): 60nS
关断延迟时间(td(off) ): 170 nS

MOS 管需要设置的大小和电压主要有以下两种:
1 、栅长 L ;
2 、 过驱动电压Vgs-Vth
MOS 管 25N120 用作放大 管 时,比如运放的输入管,目标是达到更高的增益,所以用作放大 管 的MOS 管的 L 要大一些, Vgs-Vth 要 小 一些。
当MOS 管 25N120 用作高速管时,如低噪声放大器、压控振荡器、混频器等射频电路,其目标是追求高速,其结论与放大管截然相反。为提高电路速度, MOS 管应取最小的工艺 L 和较大的 Vgs-Vth 。因为 L 越大, MOS 管的寄生电容就越大, 会 影响管子的高速性能。
MOS 管 25N120 用作电流镜管时,其目标是实现电流的精确复制。因为电流复制是静态信号,不需要速度,所以 MOS 管的 L 要大一些,因为 MOS 管的 L 越大, MOS 管的厄利效应越小 ,电流 复制 就会 越准确。同时需要注意当前 电流镜 对的Vds 是否相等 , 一个工作在饱和区的MOS 管, Vds 相同, L 较大,可以很好的实现电流复制。
MOS 管 25N120 用作开关管时,漏源电压 Vds 应 很小,MOST 工作在线性区。在这个区域, MOST 晶体管实际上是一个小电阻,提供线性伏安特性。
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