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7N60 极限参数 ：
（ 1 ） IDSM ，最大漏源电流，是指场效应管 7N60 正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管 的工作电流不应超过ID 。该参数会随着结温的升高而降额；
（ 2 ） IDM ，最大脉冲漏源电流， 7N60 这个参数会随着结温的升高而降额；
（ 3 ） PDSM ，最大耗散功率，是指 7N60 性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管的实际功耗应小于 PDSM ，并有一定的余量。该参数通常会随着结温的升高而降低；
（ 4 ） VGS ，最大栅源电压，当栅源之间的反向电流开始急剧增加时的电压值。结型 MOS 管正常工作时，栅极和源极之间的 PN 结处于反偏状态 ， 电流过大，会发生击穿；
（ 5 ） Tj ，最高工作结温，通常为 150℃ 或 175℃ ，在器件设计的工作条件下，必须避免超过此温度，并应保留一定的余量；
（ 6 ） TSTG ，储存温度范围。
7N60 除上述参数外，还有电极间电容（ MOS 管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。
7N60 静态参数 ：
（ 1 ） V(BR)DSS ，漏源击穿电压，是指当栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管 7N60 所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数，工作电压施加到 FET 必须小于 V(BR) DSS 。它具有正温度特性。因此，该参数在低温下的值应作为安全考虑。
（ 2 ） RDS(on) ，在特定的 VGS （通常为 10V ）、结温和漏极电流的条件下， MOS 管 7N60 导通时漏极和源极之间的最大电阻。 这 是一个非常重要的参数，决定了MOS 管 7N60 开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；
（ 3 ） VGS(th) ，开启电压（阈值电压）。当施加的栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏极区和源极区的表面反型层形成连通沟道。在应用中，在漏极短 接 的情况下，ID 等于 1mA 时的栅极电压通常称为导通电压。这个参数一般会随着结温的升高而降低；
（ 4 ） IDSS ，饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 且 VDS 为一定值时的漏源电流，一般为微安级。由于 MOS 管的输入阻抗较大， IGSS 一般在纳安级。
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