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PSRAM在数据缓冲应用中可以取代SRAM或SDRAM
PSRAM它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。
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全球MCU市场供需失衡情况愈发严重
近期全球MCU市场供需失衡情况愈发严重。继瑞萨、NXP等芯片大厂先后发布涨价通知之后，意法半导体也于近日发布了涨价函。在国际大厂供应不上、全球市场出现缺口之时，国内MCU厂商在某种程度上也迎来了抢占市场的良机。国内MCU厂商如何能够将此次危机化解，并借此机会在市场占据一席之地呢?
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如何选择非易失性SRAM
为解决SRAM的数据保存问题,国外著名半导体公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列产品,国内也有同类产品相继问世。面对众多的NVSRAM产品，广大用户如何选择质优价廉的产品呢?建议用户根据以下几个性能指标和价格进行选择:
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SRAM VS DRAM
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能，功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点，集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存
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SoC上的内存
SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括: 易失性存储器:断电后会丢失数据的存储器。它们需要恒定的电源来保存信息。易失性存储器更快、更便宜，这也是被大众所接受的原因。 RAM是一种易失性存储器。最常用的RAM是SRAM和DRAM。SRAM由1、3或6个晶体管组成的存储单元组成
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家电电动控制MCU
关于电机控制方案，DSP、MCU和FPGA各有其优特点。DSP因为数据处理能力强、运算速度快，适用于高端复杂的电机系统控制，但它依赖于软件算法的成熟度和稳定性，对开发者的要求比较高。FPGA通过集成逻辑电路及专用电机驱动电路，能够很好地适用于客户化的电机驱动，但在电机控制的通用性方面略有不足。MCU通常侧重于I/O接口的数量和可编程存储器的大小，非常适用于有大量的I/O操作的场合，所以广泛应用在低
