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非易失性存储器EEPROM
EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOS ROM芯片和配置信息存储等。
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易失性存储DRAM详解
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。
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访问SDRAM的低功耗优化设计方案
为了降低DSP外部SDRAM存储系统的功耗,针对DSP访问片外SDRAM的功耗来源特点,提出了基于总线利用率动态监测的读写归并方案。该方案动态监测外部存储器接口(EMIF')总线的利用率,根据总线利用率的不同选择开放的页策略,封闭的页策略或休眠模式。
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DDR存储器系统是消费电子的核心
当今的片上系统（SoC）设计成功的最重要因素之一就是能够有效访问片外双倍数据速率（DDR）动态随机存取存储器（DRAM）存储器。在消费级SoC中尤其如此，在这些消费级SoC中，存储子系统通常是共享的，并且必须服务于系统中的多个处理核心，每个处理核心都具有不同的带宽和延迟要求。
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DDR5 SDRAM规格发布：大容量满足极速
半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器（DRAM）设定了标准，该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速度的两倍，其存储设备的容量增加了四倍，降低了工作电压，并引入了多种方法来提高瘦节点上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC说，DDR5 SDRAM将从明年开始用于即将推出的客户端PC和服务器。
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FRAM的未来是更高的密度
FRAM有许多小密度，细分市场的应用。赛普拉斯半导体RAM业务部门表示，它不仅具有非易失性和低能耗的特性，而且还具有耐辐射性。总体而言，它是一种相当稳定的内存-以其目前可商购的形式-用于数据记录和备份之类的应用程序。
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非易失性MRAM读写操作
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力，在150°C的条件下可保存数据10年以上。
