FRAM的应用场景
FRAM由于其寿命长、读写速度快等优势,因此主要应用于RFID、便携式的医疗设备、可穿戴设备、IOT设备以及车载设备等。 1.汽车:汽车行业对FRAM的需求正在快速增长。随着车用微控制器和传感器的广泛使用,汽车电子系统对数据存储的需求快速上升。智能安全气囊和先进的记忆系统已在高端汽车中应用,随着时间推移会慢慢进入大众市场。FRAM现在已应用于智能气囊、自动驾驶辅助系统(ADAS)、导航和
铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势,被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司,这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证,FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。 1. FRAM的优势: FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、
富士通FRAM强势进击电表市场
工业物联网的蓬勃发展,对数据链上如数据采集、数据记录、数据处理等各个环节的应用提出了更高的要求。对于智能电表而言,数据记录及存储需要考虑准确记录、非易失性、耐久度等多个方面的需求。因此智能电表方案商需考虑挑选合适的存储产品予以应对。富士通FRAM在需要准确记录和存储智能电表重要数据的应用中、发挥着关键作用。例如电表使用的重要数据,需要在非常短的间隔(1-3次/秒)里保存在存储器,并确保掉电情况下数
医疗刺激装置如何使用外部存储器来支持高级功能
随着技术的不断进步,消费类、便携式医疗设备的功能越来越强大,越来越完善,极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性,同时保证了用户健康信息的安全性,价格也合理。 这些全新的高级功能需要更强的处理能力、安全性和连接性。日益增长的复杂性也要求固件/软件代码扩展,反过来不仅增加了代码,而且还提升了数据存储系统的存储器需求。这些增强功能,增加了系统的功耗预算,矛盾的是,紧凑外型的便携式医疗设备要
高性能存储器FRAM将是提高BMS核心技术的关键元件
近年来,我国新能源汽车产业发展迅速,成为汽车产业的重要增长点。新能源汽车销量的快速增长自然带动了相关汽车电子产业链的发展,由于采用电力驱动,新能源汽车的结构有别于传统的燃油汽车,动力电池、电池管理系统(BMS)、整车控制单元(VCU)三大系统成为汽车的核心功能部件,汽车电子成本相比于整车价值的占比也进一步提升。 高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS,还是VCU
用铁电存储器FRAM让穿戴式设备更省电
可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力。解决方法之一是直接提高电池容量,但是大容量电池会加大尺寸和重量,对可穿戴设备不合适,尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此。更具挑战性的是电池技术的发展跟不上日益增长的系统需求…… 在可穿戴设备中电池使用寿命对于良好的用户体验至关重要。可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力。解决方法之一是直接提高电池容量,但是大容量电池会加大
FRAM技术简介
铁电随机存取存储器或FRAM是真正的非易失性RAM,因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/ EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在没有电源的情况下存储数据。
FRAM作为代码存储器应用中的单芯片解决方案
通常可执行代码的存储器采用基于ROM的技术,而数据任务的存储器则采用基于RAM的技术。作为赛普拉斯中的一款非易失性RAM产品,FRAM提供了独特的优点—它能够将可执行代码和数据组合在一个单存储器中。
如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验,如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间,大约要用2200uA的功耗去做写的功能,但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到,如果要写很多数据到Flash等传统存储器里,FRAM速度会更快而所需功耗却最低。
新兴存储器铁电RAM嵌入式应用
存储器IC市场一直是动态的,但是随着边缘计算,人工智能(AI),5G和自动驾驶的兴起,对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行,使工作和商业领域发生了巨大变化,而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战,无法一次解决。
集成铁电存储器MCU为物联网应用提供出色性能
集成铁电存储器的MCU,由于在MCU上集成了铁电存储器,该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度(允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。 铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性,写入速度快,无限次写入
FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3,而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响,特别是当应用程(如:智能电子式电表)频繁的记录数据而使写密集时。
实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响
一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间,以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时,会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率 进行,并非基于存储器延迟。
高耐久性Cypress FRAM电池管理应用
根据不同的电池技术(主要是锂离子电池和镍氢电池〉,ECU也需要具备可编程能力。系统还要具备监控短期(最后几个充电周期〉和长期(整个使用寿命)电池性能的能力。这些性能对于最大程度延长电池使用寿命非常重要,另外高达每秒60次的短期监控独特要求使具有高耐久性的Cypress FRAM成为应用程序的理想选择。
针对汽车市场的FRAM
采用 FRAM 时,子系统能够以总线全速持续存数数据,不需要额外的存储器和开销来管理存储器的擦写次数。这是因为 FRAM 是及时非易失性存储器,不需要额外等待时间来存储信息,并且具有1014次的写入寿命,而大部分 EEPROM 和 FLASH 的写入次数都小于 106。
FRAM在智能电子式电表中的应用
非易失性存储器是一个电表的重要组成部分。该电表周期性地捕获电力消耗和环境数据,并且在分配的时间间隙内,将数据存储到非易失性存储器中,从而可以计算和记录数据。每个周期的时间间隙结束后,智能电子式电表将信息上载到与供应基础设施相连的网络上。数据捕获周期可以从每几秒到每几毫秒变化一次。