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NOR Flash主要用来存储代码及少量数据，近几年因5G、IoT、TWS耳机、AMOLED屏幕、TDDI等市场快速发展而备受重视。 NOR Flash和Nand Flash是目前两种主要的非易失闪存技术。NAND Flash具有“容量大、单位容量成本低”等特点是高数据存储密度的理想解决方案。而NOR Flash“读写速度快、可靠性高、使用寿命长”，多用来存储少量代码。 近一两

      NOR闪存由于其可靠的数据存储而已在嵌入式设备中广泛使用了很长时间。对于某些低功耗应用，串行SPI NOR闪存变得比并行NOR闪存设备更受欢迎。与串行SPI NOR闪存相比，并行NOR闪存具有并行性，因此吞吐量更高。但是随着串行SPI NOR闪存设备中多通道（2-8条并行数据线）支持的出现，它现在在低功耗设备中变得越来越流行。这些闪存设备主要用于嵌入式系统

NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。

Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand Flash两大类。

由于基于Nand Flash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点, Nand Flash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。

作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM 不同的是,Flash存储器除了具有一些典型的存储器故障类型外,还会出现一些其它的故障类型，例如 NOR类型的Flash还会出现以下主要故障类型.

Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快等优点适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。

非易失性存储器的写入时间会极大地影响系统的总能耗。对于低占空比的系统，这种影响不太明显，但是随着采集速率的提高，这种影响变得更加明显。

赛普拉斯 NOR闪存首款经过架构设计并满足汽车行业用于构建故障安全嵌入式汽车系统的ISO26262功能安全标准的存储器。在汽车应用中常见的极端温度下具有出色的耐久性和数据保留能力。

如今NOR已经出现在汽车的许多不同部分中，并且将进入更多领域，因为它对子系统有利。如果只有很少的代码，则它将使用在微控制器内部具有NOR的微控制器。但是如果因为它是一个更复杂的系统而拥有大量代码，则它将具有一个外部NOR闪存芯片。

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