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SRAM的容量扩展
在实际应用中的存储器所需要的容量通常比所生产的芯片容量大得多，所以需要对多芯片进行组合以实现存储容量的扩充。本文以SRAM芯片为例系统介绍常用的扩充存储容量的方法。
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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。
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SDRAM功耗来源
在现代的通信及基于FPGA的图像数据处理系统中,经常要用到大容量和高速度的存储器。SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。在各种的随机存储器件中，SDRAM的价格低,体积小和速度快,容量大等优点而获得大家的青睐。
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Nand Flash结构及错误机制
由于基于Nand Flash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点, Nand Flash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。
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传统存储器和新兴存储器应用
传统存储器技术并不排除创新，这是赛普拉斯半导体等公司对“传统”标签持谨慎态度的原因，而宁愿将早期的存储器规范称为“持久性”。即使高性能计算和超大规模扩展，人工智能和机器学习正在推动采用最新的DDR存储器，NAND闪存和高带宽存储器，但数据仍在推动创新。当使用其传感器和边缘节点进入物联网时，需求并没有发生太大变化。
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新兴存储器铁电RAM嵌入式应用
存储器IC市场一直是动态的，但是随着边缘计算，人工智能（AI），5G和自动驾驶的兴起，对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行，使工作和商业领域发生了巨大变化，而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战，无法一次解决。
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基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
本方案的技术特征在于:用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAM IP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位 RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线 DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。
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选择低功率MCU需考虑外设功耗与电源管理
MCU功耗在目前的电池供电应用中正变得越来越举足轻重。大多MCU微控制器芯片厂商都提供低功耗产品，但是选择一款最适合自己应用的产品并非易事，并不像查询对比数据表的数据那么简单。
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Flash存储器的故障特征
作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM 不同的是,Flash存储器除了具有一些典型的存储器故障类型外,还会出现一些其它的故障类型，例如 NOR类型的Flash还会出现以下主要故障类型.
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Cypress存取时间为10纳秒的异步SRAM
Cypress 16兆字节快速异步SRAM﹐其存取时间小于10ns。异步SRAM内含l亿多个晶体管﹐采用6个晶体管存储单元﹐是4兆字节快速异步SRAM的后续产品.Cypress负责这种新SRAM设计流程中﹐从概念设计到交付生产的每一个阶段。第一块硅片已初步定型﹐最初结果显示存取时间将远低于10ns .该设计是用0.16微米CMOS工艺实现的﹐芯片的面积超过120000平方密耳。
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一项非常重要的指标，比如某些可穿戴的设备，其携带的电量有限，如果整个电路消耗的电量特别大就会经常出现电量不足的情况。平时我们在做产品的时候，基本的功能实现很简单，但只要涉及到关于低功耗的问题就比较棘手了，比如某些可以低到微安级的MCU微控制器，而自己设计的低功耗怎么测都是毫安级的，电流竟然能够高出标准几百到上千倍，遇到这种情况干万不要怕，只要认真你就赢了。接着仔细分析一下这其中的原因。
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集成铁电存储器MCU为物联网应用提供出色性能
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。 铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入
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读取优先和SRAM-MRAM混合结构
MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。
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磁阻式随机存储器MRAM基本原理
MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为“0”;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其状态为“1”
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MRAM高速缓存的组成
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。
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非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
虽然MRAM低功耗的特点使其能够实现多层堆叠而不用担心温度方面的问题,但是延时会增加,而且堆叠层数过多会导致成品率下降。因此目前的MRAM技术要应用于主存储器还不够成熟(因为其容量不够大) ,但是可以用于对低功耗有特殊要求的嵌入式设备。
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磁存储芯片STT-MRAM的特点
在众多新型非易失性存储介质中,磁存储芯片(STT-MRAM)能够与CMOS半导体工艺良好兼容,利用较少的金属层即可以做到存储单元的高密度集成。同时由于其接近于静态随机存储器(SRAM)的读写速度﹑极低的静态和动态功耗、掉电不易失的特性、接近于无限的擦写次数,高温下长时间的数据保持能力以及抗强磁场辐射等特性,是作为企业级SSD控制器中数据缓存和FTL表项存储的天生优良介质。
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NAND FLASH的接口控制设计
Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快等优点适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
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NAND Flash和NOR Flash的区别
NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。
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SDRAM内存条时序特点
SDRAM存储器读写速度较高，其单位容量的功耗较低，广泛应用在许多工程项目中，特别在雷达、图像处理等需要高速度、大容量的数据存储领域，SDRAM存储器有着广泛的应用价值。而单片SDRAM存储器一般是直接焊接在电路板上，而且引脚较多、一旦遇上SDRAM存储器工作故障，更换芯片比较麻烦，并且当需要扩充容量时修改电路也不方便。
