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灵动MM32F103C8T6国产32位单片机
上海灵动微电子MM32F103C8T6使用高性能的ARM® CortexTM-M3 为内核的32 位微控制器，最高工作频率可达168MHZ，内置高速存储器，丰富的增强型I/O 端口和外设连接到外部总线。MM32F103C8T6工作电压为2.0V~ 5.5V，工作温度范围包含-40◦C~ +85◦C 常规型和-40◦C~+105◦C 扩展型。具有多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。
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串口SRAM和并口SRAM的引脚区别
SRAM处于计算机存储器金字塔的最顶端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。因为SRAM的操作条件比较简单，就是简单的MOS管打开，相互fighting或者传输值的过程，用core电压就可以实现。而DRAM要产生3v左右的高压，NAND的操作电压就更高了。
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SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，
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高速低功耗2MX8位CMOS静态SRAMIS62WV20488ALL
ISSI IS62WV20488ALL一款高速，低功耗，2MX8位CMOS静态SRAM。使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设备。当CS1为高电平或CS2为低电平时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。
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武汉新芯50nm高性能SPI Nor Flash
XM25QWxxC产品系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持KGD解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。
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2020年国内MCU市场有望突破500亿元
MCU是智能控制的主要核心，是目前物联网和汽车电子未来主要增长点。MCU微控制器作为智能控制的核心广泛应用于消费电子、汽车电子、计算机与网络、工业控制等领域，伴随物联网的逐步落地和汽车电子的发展，MCU微控制器的市场需求增长显著。
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MRAM可以替代NOR或SRAM
如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率，尤其是DRAM，这需要定期且频繁地刷新内存中的数据。物联网等许多新应用程序要求将连接的传感器和其他设备放置在能量受限的情况下，依靠电池运行或使用能量收集。在数据中心中，诸如DRAM之类的存储器消耗了总功率的很大一部分。
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SRAM整体结构图
SRAM是随机存储器的一种，它由静态挥发性存储单元组成的存储阵列(或者叫内核，core) 组成，其地址译码集成在片内。SRAM 速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器.以保存数据。SRAM由于靠连续的供电来维持所存数据的完整性，故属于易挥发性存储器。
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SRAM数据存储原理
静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元出的面积变得尤为重要。
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ISSI正规代理高速低功耗SRAM芯片IS62WV102416ALL
ISSI为汽车，数字消费者以及工业和医疗主要市场设计。其主要产品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存储器。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。为关键市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品。其中旗下的IS62WV102416AL在市场上深受各汽车,工业行业的喜爱。
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低电压SRAM的重要性
SRAM的功耗包括动态功耗和静态功耗，动态功耗和静态功耗所占总功耗的比例不是一成不变的，其比例随集成电路工艺的发展而变化。工艺每前进一个节点，MOSFET 漏电流大约增加5 倍。器件特征尺寸的减少，使得静态功耗在电路总功耗中所占比例越来越大，同时也必然引起静态泄漏电流的增加。
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Everspin MRAM技术的可靠性
与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。
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分享一款ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。
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如何减小SRAM读写操作时的串扰
在sram芯片存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生，只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲的电路。仿真结果表明，该电路功能正确，性能优良，减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰，与其它脉冲电路相比，该电路结构简单、紧凑，对于嵌入式SRAM 的发展具有极其重要的现实意义。
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SRAM电路工作原理
写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平，读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。
