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简单的Everspin MRAM单元可提高制造效率并提高可靠性.MRAM使用磁隧道结技术进行非易失性存储。高温下数据不会泄漏，并且没有磨损机制来限制读，写的次数拨动式MRAM可靠性的另一个重要方面是保持数据免受热磁化翻转引起的错误的影响。

经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。

循环应力，功能测试和SER数据收集是在最差的电压和温度工作条件下进行的。研究中的设备可以承受58万亿（5.8E13）个周期而不会发生故障-因此，MR2A16A具有无限的写循环能力。同时，正在进行研究以收集用于位单元的写循环的所有可能的经验数据

NVM可以嵌入到芯片中，也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压，NVM的类型以及其中存储的内容以及整个芯片或系统的预算。

四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。

MRAM使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。在高温下，数据不会泄漏出去，并且没有磨损机制可以限制该技术中的读取，写入或电源循环次数。触发MRAM可靠性的另一个重要方面是针对热感应磁化翻转产生的错误保留数据。进行了加速烘烤测试，其中在烘烤之前将棋盘格图案写入零件，然后再读取数据。

FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。

将非易失性存储器与SPI接口进行比较，仅查看写操作，这些操作通常比读操作消耗更多的功率。由于写命令，WREN位和两个地址字节的开销，可写的数据字节数比SPI总线上的字节数少四倍。写入非易失性存储器的字节数被选择为4和46。

将会有针对MRAM开发的本地市场，特别是嵌入式应用程序，并且已经取代了可能是SRAM或设备内部不同内存缓存的产品。由于这些设备及其非易失性存储功能，市场份额将发生变化，但新的市场发展也将发生。

Everspin MRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NOR Flash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q010非常适合需要连续记录关键系统数据的应用，并具有在意外断电的情况下保护数据的额外好处，而无需使用电池或电容器。

STT切换是一个随机过程。这意味着减少写电流可提高能效，但会增加写错误的可能性，并降低良率。为了达到可接受的良率并保持现场可靠性，设计人员需要实施复杂的ECC解决方案。仅依靠冗余元素（例如额外的行或列）会导致较高的面积开销，并降低MRAM的密度优势。

并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，明显改变消费者使用电子没备的方式。

MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。

MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。

MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。

Everspin的16兆位MR4A16BMA35 MRAM专为要求极高数据可靠性和速度的应用而设计，它具有市场上最快的非易失性存储器，对称的读写性能和无限的耐用性，从而使系统设计人员受益。这些存储器功能可确保自动化设计人员每次断电时都可以确定性和安全地保留过程数据。除了性能之外，该技术还允许无电池的生态设计。

STT代表旋转传递扭矩。在STT-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。这种效果是在磁性隧道结（MTJ）或自旋阀中实现的，ST-MRAM设备使用STT隧道结（STT-MTJ）。通过使电流流过薄磁性层来产生自旋极化电流。然后该电流被引导到一个较薄的磁性层中，该磁性层将角动量传递到改变其自旋的薄层中。

如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率，尤其是DRAM，这需要定期且频繁地刷新内存中的数据。物联网等许多新应用程序要求将连接的传感器和其他设备放置在能量受限的情况下，依靠电池运行或使用能量收集。在数据中心中，诸如DRAM之类的存储器消耗了总功率的很大一部分。

与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。