SRAM
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如何减小SRAM读写操作时的串扰
在sram芯片存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生，只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲的电路。仿真结果表明，该电路功能正确，性能优良，减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰，与其它脉冲电路相比，该电路结构简单、紧凑，对于嵌入式SRAM 的发展具有极其重要的现实意义。
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SRAM电路工作原理
写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平，读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。
