Nor和Nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出Nor flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了Nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

Nor的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。Nor的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。Nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。Nand器件执行擦除操作是十分简单的，而Nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除Nor器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除Nand器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了Nor和Nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于Nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

● Nor的读速度比Nand稍快一些。

● Nand的写入速度比Nor快很多。

● Nand的4ms擦除速度远比Nor的5s快。

● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

● Nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别

Nor flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

Nand器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

Nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于Nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本

Nand flash的单元尺寸几乎是Nor器件的一半，由于生产过程更为简单，Nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

Nor flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而Nand flash

来自 “ ITPUB博客 ” ，链接：https://blog.itpub.net/21840142/viewspace-1022878/ ，如需转载，请注明出处，否则将追究法律责任。