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海思
Hi3751
android 待机开发指南
STR主要依赖 DDR 不掉电，可以保存待机前数据，来迅速唤醒恢复；又在待机时将DDR 置于自刷新模式将整机维持在功耗较低的状态。 DDR 的刷新操作分为两种，自动刷（Auto Refresh，简称 AR）与自刷新（Self Refresh，简称 SR）。自刷新主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，当 DDR 进入自刷新状态，可以用极低的功耗将数据保持。 在自刷新方式下，DDR 禁止时钟使能 信号 CKE 之外的所有的内部时钟和输入缓冲。刷新地址和刷新时间全部由器件内部产生，以此来降低功耗。一旦进入自刷新方式有通过 CKE 变低才能激活，其他的任何输入都将不起作用，也即自刷新状态下，DDR只能维持数据不丢失，但不支持读写操作。 DDR 自刷新待机需要 操作系统支持 Suspend to RAM 功能，在这种模式下，操作系统会将所有 用户态进程冻结，各个驱动 模块在待机前将信息保存在内存中并关闭模块功能，最后 CPU 会将上下文（CPU 自身的寄存器）保存在内存中并启动 MCU，整个系统进入到低功耗状态。 在收到唤醒指令后，MCU 会将 CPU 启动并恢复上下文，随后各个驱动模块和用户态进程还原到待机前的状态，整个系统完成待机唤醒。 数据保存的示意图如图 1-1 所示，待机唤醒的详细流程，见第 1.4 详细流程节。
优缺点
和传统的下电待机相比，STR 的优缺点表现如表 1-1 所示。
真待机概念
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