这厢韩国的疫情还在持续爆发，那边三星华城工厂区又传出了失火情形。据了解，距离火灾最近的 Line 16 主要为生产 3D 闪存 (3D NAND Flash) 以及 CMOS 影像传感器 (CIS/CMOS Image Sensor) 的厂房，在生产制程方面以 64 层 (V4) 为主，目前约占三星闪存 (NAND Flash) 总投片量的 11-12% ，并规划逐季减少闪存 (NAND) 产能。

尽管业界人士认为该事件对供需初步没有太大冲击，然而该消息传出后，还是有不少人担心存储芯片市场的供应。宏旺半导体之前说过，今年春节前，铠侠发生了火灾、三星也出了停电事故，这些事件都一定程度上促进了 2020 年 Q1 季度的内存价格走势可能由原先的大致持平转为小幅上涨。

事实上，日韩存储企业发生火灾或跳电引起存储芯片市场暴涨的戏码已经屡见不怪了，趁着国内存储芯片大量投放市场之前，先造成供给受限的局面，引起价格波动，从而进一步垄断全球市场、占据对国内市场的话语权。

再加上韩国目前的形势对全球存储芯片供给能力产生了较大不确定性，本就进入价格上涨周期的存储芯片价格预计上涨会进一步加剧。三星、 SK 海力士均为国际半导体巨头，在存储器领域占据垄断地位，牵动全球存储器供应，后续报价波动更大。在疫情等影响下，全球消费电子产业将持续被影响，特别是智能手机以及 DRAM 这两大产业上。

目前很多下游组装厂都已经开始复工，加大对 DRAM 的采购，想要增加库存，在复工的过程中上下游产能利用率将进一步增长，很有可能会造成关键元器件缺货的情况，很显然目前存储市场供给还是比较紧张的，如果不能够及时调整发展措施，那么产品存储的价格或许进一步上涨，至于涨价多长时间还有待观察。

要知道，做内存芯片市场九死一生，需要举国家之力，不是一家企业可以抗衡的。因而，在这样的背景下，国家不得不大力扶持发储存芯片的开发。在政策的扶持和产业、技术的发展下，以 ICMAX 宏旺半导体为代表的民族企业正在持续增长地蓬勃发展。面对不同的应用领域和各行业 “ 端 ” 的进一步细分， 2019 年，宏旺半导体加大研发投入，坚持自主创新，在嵌入式存储的基础之上，推出了 DDR3 、 DDR3L 、 DDR4 等 DIMM 系列和 2.5 寸、 mSATA 、 M.2 NGFF 、 M.2 NVME 等 SSD 系列，并实现了业内首家量产 8GB LPDDR4X ，力争在产能供应保障上获得自身的优势。

5G 时代，巨量数据将产生巨大的数据存储需求。根据 IDC 预测，到 2025 年，全球数据圈将扩展至 163ZB (1ZB 等于 1 万亿 GB) ，相当于 2018 年的六倍。预估 2019 年产生 35ZB 数据，其中约 58% 来自于 HDD ， 30% 来自于闪存，主要是  NAND Flash ，从目前 NAND Flash 出货容量来看，存在巨大成长空间。尽管国产厂商 NAND 技术与国际厂商还存在差距，但我们已经有了一定的进步，对于国产存储行业来说，这是值得称赞的事。