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铁电存储器FRAM的优劣势

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2021-05-11 16:37:26 0 删除 编辑

FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势,被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司,这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证,FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。
 
1.  FRAM的优势:
 
是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
 
2.  FRAM的劣势:
 
FRAM的制造成本高,价格比EEPROM、FLASH更加昂贵,储存的空间更小。
 
由于目前EEPROM和FLASH经过多年的技术积淀和积累,无论是技术还是市场的认可度都非常高,且价格低廉。FRAM作为新型存储器之一,FRAM的技术发展的路径尚不确定,未来替代EEPROM会经历一个漫长的过程,将来也可能是其他新型存储器,如相变存储器PCM、磁存储器 、电阻存储器ReRAM、碳纳米管存储器NRAM取代现有的存储器。
 
虽然目前富士通半导体等公司正在大力推广FRAM,但是传统的存储器如EEPROM和FLASH依旧会保持很大的市场份额,未来EEPROM、FLASH的技术迭代也会提升其各方面的性能,FRAM与EEPROM、FLASH会保持长期共存的局面,不会短时间内出现FRAM彻底替代EEPROM、 的情况。
 
建议改类型的项目方提供下游客户的产品中必须用到FRAM的情形,以及其他可替代的存储器,并说明与日本富士通半导体和英飞凌的FRAM的产品性能优势或成本对比,是否已经大规模量产以及良率如何,由此来综合评估该类型项目的FRAM产品的技术壁垒和未来市场销售情况。

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