ITPub博客

首页 > 嵌入式/内核开发 > 嵌入式/内核开发 > 高性能存储器FRAM将是提高BMS核心技术的关键元件

高性能存储器FRAM将是提高BMS核心技术的关键元件

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2021-04-25 16:30:41 0 删除 编辑

近年来,我国新能源汽车产业发展迅速,成为汽车产业的重要增长点。新能源汽车销量的快速增长自然带动了相关汽车电子产业链的发展,由于采用电力驱动,新能源汽车的结构有别于传统的燃油汽车,动力电池、电池管理系统(BMS)、整车控制单元(VCU)三大系统成为汽车的核心功能部件,汽车电子成本相比于整车价值的占比也进一步提升。
 
高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS,还是VCU,这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行监控,记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性、高速、高读写耐久性的车规级的存储器 才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。
 
BMS是连接车载动力电池和电动汽车的重要纽带,其主要功能包括:电池物理参数实时监测;电池状态估计;在线诊断与预警;充、放电与预充控制;均衡管理和热管理等等。举个简单的例子,电池单元电量一般维持在30%~75%之间表示正常运作,如有不均衡的情况需从别的单元补充过来,这时系统需要检测记录电池单元的电量、温度、电压、电流等等数据,而且单次监测记录的时间不能间隔太长。这也就意味着,BMS的数据记录与写入同样非常频繁,对非易失性存储器的写入次数要求比较高。
 

 

FRAM在电池管理系统BMS中的应用

 
同时在实际工作中,BMS系统不仅会以每秒或每0.1秒的频率去记录电池单元的电压,温度和电流等当前数据,而且要监控电池的短期(最后几个充电周期)和长期(整个使用寿命)的状态,这对最大程度延长电池使用寿命至关重要。“针对这些独特要求,还需要提高存储器性能和耐久性设计。因此非易失性,高耐久性,高速的车规级FRAM是BMS的理想选择。
 
与之相似,VCU系统则需要以每秒一次的速度去记录汽车行驶的当前状态以及发生故障时的变速器挡位、加速状况、刹车和输出扭矩等信息,而采用FRAM可以通过更简单的软件进行存储与读取,同时保证高速和高可靠性。 的车规级产品MB85RS2MLY,可在-40°C至+125°C温度范围内达到10兆次读/写次数,非常适合需要实时数据记录的应用(比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据,则写入次数将超过30亿),可谓具有极高的数据写入耐久性和可靠性。代理商宇芯电子可提供技术及样品支持。

来自 “ ITPUB博客 ” ,链接:http://blog.itpub.net/69975830/viewspace-2769771/,如需转载,请注明出处,否则将追究法律责任。

请登录后发表评论 登录
全部评论
宇芯电子专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品

注册时间:2020-05-27

  • 博文量
    172
  • 访问量
    78635