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新兴存储器铁电RAM嵌入式应用

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-11-20 14:23:32 0 删除 编辑

存储器IC市场一直是动态的,但是随着边缘计算,人工智能(AI),5G和自动驾驶的兴起,对存储器技术的需求正在不断扩大和发展。由于持续的大流行,使工作和商业领域发生了巨大变化,而存储器行业比以往任何时候都面临着更多的挑战,无法一次解决。
 
着眼于多样化内存技术的发展以及推动其发展的因素。内存技术的进步反映了数据的爆炸性增长,并且越来越需要将处理移向数据。内存和存储技术处于并行轨道,更多的工作负载在内存中处理。
 
新兴存储器是
铁电RAM (FRAM),它使用铁电代替介电层来实现非易失性。虽然制造步骤类似于DRAM,但FRAM功能更像闪存。
 
FRAM存储器可以说是最成功的新兴存储器,因为它已在嵌入式应用程序中取得了进展,并有可能达到更高的密度。大约35年以来,FRAM的非易失性和低功耗是许多应用程序的理想特性,并且利基应用程序很小。
 
例如赛普拉斯-英飞凌提供了适用于汽车和工业应用的Excelon FRAM低引脚数,小封装选项的密度高达8 Mb。Excelon系列是专门为自动驾驶汽车所需的高速,非易失性数据记录而设计的。它还用于医疗和可穿戴、物联网传感器,工业和其他高级汽车应用。显着降低的功耗,数据保留能力和抗辐射性使
铁电存储器芯片 成为EEPROM和NOR闪存的可行替代品。植入式医疗设备必须运行长达十年,这是一个例子。
 
在德国铁电存储器公司预见到更高密度,可行的存储级存储器。正在探索氧化ha的潜力,以帮助制造该技术所需的更大的晶体管,以实现可以经济高效地制造的更高密度。
 
如果新兴的存储器要成为DRAM和闪存的可行替代方案,那么即使在小众应用中,控制成本并扩大制造规模的能力也至关重要。如果制造成本过高,
MRAM 和ReRAM,FRAM或PCRAM的任何吸引人的特性最终都不重要。甚至3D NAND都经历了成长的烦恼-尽管比其平面前代产品具有许多优势。

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