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如何解决MRAM寿命问题

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-10-28 16:38:25 0 删除 编辑

MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有SRAM存储芯片的高速读取写入能力,以及动态DRAM的高集成度,并可以无限次地重复写入。 MRAM 工作的基本原理与硬盘驱动器类似,与在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方商为依据,存储为0或1。它存储的数据具有永久性,直到被外界的磁场影响,才会改变这个磁性数据。因为运用磁性荐储数据,所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由专注于代理销售 Everspin MRAM 等存储芯片供应商介绍如何解决MRAM寿命问题。
 
在高密度MRAM模块中会遇到磁介质的不规则漩涡,这种漩涡引起了磁极的老化,甚至导致读写错误。这也就是说,MRAM的寿命和稳定性会随着MRAM容量的增加而面临严峻的考验。为此VERTICAL RING GMRCELLS技术(垂直环绕巨磁阻单元)临危授命,很明显VRGC让磁层有了软硬之分。大家可不要小看这一简单的变化,这样垂直排列的巨磁阻会将不规则漩涡基本消除,很有效地解决了MRAM的老化问题。此外为了加强MRAM的稳定性,避免读写错误,VRGC技术在每一基本单元额外加入了一对平行字符线,这有点类似目前普遍应用于服务器内存的校验功能。
 

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