ITPub博客

首页 > 嵌入式/内核开发 > 嵌入式/内核开发 > 几种非易失性存储器的比较

几种非易失性存储器的比较

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-10-23 15:07:30 0 删除 编辑

SRAM 为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源(如电池)供电时,他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的 非易失性存储器 存储技术的优缺点。
 

 

表1非易失性存储器比较

 
NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素,如震动、湿度以及内置的电池切换电路都会缩短电池的使用寿命,同时也会影响系统的整体可靠性。这些问题带来的最直接的后果是∶终端客户更换电池的时间间隔更短了,例如每年就需要更换一次,而不是5~10年一次。
 
NV-SRAM 模块不仅可以快速且可靠的存储数据,而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。

来自 “ ITPUB博客 ” ,链接:http://blog.itpub.net/69975830/viewspace-2729118/,如需转载,请注明出处,否则将追究法律责任。

请登录后发表评论 登录
全部评论
宇芯电子专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品

注册时间:2020-05-27

  • 博文量
    118
  • 访问量
    49591