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铁电RAM为何比串行SRAM更好

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-10-19 16:13:34 0 删除 编辑

对于特定的产品设计,关于铁电RAM为何比串行SRAM更好,有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。
 
优越的频率和带宽
传统和ULE FRAM都比 串行SRAM 支持更高的SPI时钟频率。ULE FRAM支持DDR模式,从而充分利用了低引脚输出MCU。 ULE FRAM的带宽是当前可用串行SRAM的五倍。
 
ECC数据保护
所有FRAM阵列均受ECC保护,并提供了附加的控制寄存器来监视ECC错误。 SRAM没有此功能。结果SRAM可能会遭受损坏事件,而FRAM会检测到并纠正这些事件。
 
降低功率
在所有工作条件下,传统和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果产品以内存的有功功率为主导,则FRAM的功耗会更低。
 
如果设计以空闲功率为主导,则串行SRAM的待机功耗会略低,但是ULE FRAM会实现更低的其他功耗模式。必须更改软件才能进入这些低功耗状态,但是如果使用这些状态,则ULE FRAM的空闲功耗可能比串行SRAM低10倍。
 
符合RoHS的非挥发性
非易失性是FRAM固有的,但是必须为串行SRAM提供电源才能实现这一点。这可能意味着添加电池,这可能违反RoHS要求,或成为设计中的替换问题。
 
易于使用的命令选项
ULE FRAM具有比 SRAM 更丰富的命令集,这些功能可用于提供更轻松的实现。这些注意事项包括:
•可以使用其他模式进行传输,例如单位命令,但是可以进行多位数据传输
•能够对存储阵列的某些部分进行写保护。
•序列号识别
这些规定在串行SRAM中均不可用。
 
我们已经习惯了SRAM的功能及其为当今产品提供的好处。但是事实证明,还有另一种技术可以执行相同的操作,在许多情况下会更好。预先考虑一下, 铁电RAM 与串行SRAM可以用来互相代替,在许多情况下,可以提供更好的性能,更低的功耗以及更可靠的数据存储环境。

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