ITPub博客

首页 > IT基础架构 > 服务器/存储 > EEPROM与内存Flash消耗能量计算

EEPROM与内存Flash消耗能量计算

原创 服务器/存储 作者:宇芯电子 时间:2020-09-08 14:06:34 0 删除 编辑

本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。
 
首先,我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V  写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA,写入时间为5 ms,写入电流为3 mA(表1)。我们假设:一旦VDD上升到工作限制内(上电时间),EEPROM就准备开始工作零)。
 

 
•写入的数据量适合一页,并且使用块写入功能进行写入。
 
•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间,因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。(这个假设是相反的用于 的; MRAM只需要通信时间,因为写入时间很短,因此它可以被视为零。)
 
•EEPROM直接由微控制器I / O供电,并使用一个小的(0.1μF)去耦电容。

 
内存Flash消耗的能量
具有更高的写入和待机电流,因此我们将使用50μA的待机电流(写入时间)在我们的评估中为3 ms,写入电流为15 mA(表2)。如上所述,我们假设通电时间为零,数据适合一页,并且写入时间很长,我们可以忽略通信时间。另外,我们假设闪存写入到已擦除的页面。
 
 
结论
非易失性存储器 的写入时间会极大地影响系统的总能耗。对于低占空比的系统,这种影响不太明显,但是随着采集速率的提高,这种影响变得更加明显。
 
EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现最低的能耗。

来自 “ ITPUB博客 ” ,链接:http://blog.itpub.net/69975830/viewspace-2717938/,如需转载,请注明出处,否则将追究法律责任。

请登录后发表评论 登录
全部评论
宇芯电子专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品

注册时间:2020-05-27

  • 博文量
    164
  • 访问量
    71680