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分享一款MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM

原创 服务器存储 作者:宇芯电子 时间:2020-08-06 16:06:11 0 删除 编辑

1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径,旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。 MRAM 专为需要对数据进行高频写入的应用而设计,可提供与并行I/O MRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行(XIP)操作。Everspin代理商宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品服务。
 
Everspin MRAM 这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据,而不会在其他非易失性技术(例如NOR Flash)中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性,MR10Q010非常适合需要连续记录关键系统数据的应用,并具有在意外断电的情况下保护数据的额外好处,而无需使用电池或电容器。诸如企业RAID控制器之类的应用程序可以利用这些功能,通过将MR10Q010用作记录不断更新的系统元数据的日志存储器,来增强关键任务数据存储系统的可靠性。
 


此外该存储器具有用于Quad SPI操作的完整命令集,包括读写操作,其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。该器件采用16引脚SOIC封装,可通过并行接口节省20引脚,并支持低电压电平,并具有用于I/O的单独VDDQ。
 
其他功能包括:
•数据保留超过20年
•自动断电数据保护
•无限的写续航力
•7.5mmx10.3mm机身尺寸
•引脚与NOR Flash Quad SPI产品兼容
 
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存储解决方案,适用于必须使用少量引脚,低功耗和节省空间的16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I / O允许每秒52MB的非常快的读写速度,使其比8位 并口mram 更快。这对于下一代RAID控制器,服务器系统日志,存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器非常有用。


MR10Q010.pdf


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