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什么是STT-MRAM?

原创 服务器/存储 作者:宇芯电子 时间:2020-08-04 17:09:25 0 删除 编辑

随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加,以增加并潜在地替代传统的易失性存储器,新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM)作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.
 
什么是STT-MRAM?
 
嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM,相变存储器(PCM),电阻RAM(ReRAM)和铁电RAM(FRAM)。每种新兴的内存技术都不同,适合特定的应用,但STT-MRAM似乎已成为主流。
 
STT-MRAM 是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲,每个单元由两个磁体组成:一个是固定的,另一个是可以翻转的。当磁体彼此平行时,电阻低。当第二个磁铁反转方向时,电阻很高。
 
由于磁性隧道结(MTJ)器件能够通过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此STT-MRAM技术享有低功耗和低成本的优势。在商业代工厂中,STT-MRAM的支持正在加速发展,GlobalFoundries,英特尔,三星,台积电和联电都已公开宣布为28nm / 22nm技术的SoC设计人员提供产品。

 
系统设计师正在将STT-MRAM技术用于低功耗MCU设计(例如IoT穿戴式设备),这些设计可以从较小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常会为这些早期采用者取代嵌入式闪存。对于自动驾驶雷达SoC,STT-MRAM的数据保留和密度是显着的优势。在不久的将来,STT-MRAM将用于最终应用(例如超大规模计算,内存计算,人工智能和机器学习)中替代SRAM。
 
Everspin Technologies,Inc是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的全球领导者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。 everspin代理 宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品一体系服务。

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