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分享一款低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL

原创 服务器存储 作者:宇芯电子 时间:2020-07-22 15:52:41 0 删除 编辑

ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封装在48引脚TSOP(I型)中。 宇芯电子支持提供技术支持及产品解决方案。
 
主要特点
•高速访问时间:45ns,55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA(典型值)CMOS待机
•CMOS以实现最佳速度和功率以及TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V〜1.98VVDD
(IS62/65WV102416DALL)
–2.2V〜3.6VVDD
(IS62/65WV102416DBLL)
•完全静态操作:无需时钟或刷新
•工业和汽车温度支持
 
 
48引脚TSOP-I

 
功能说明
是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
 
待机模式
取消选择时,设备进入待机模式。输入和输出引脚(I/O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
 
写模式
选择芯片时且写使能输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚(I/O0-15)处于数据输入模式。即使为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW,来自I/O引脚(I/O0至I/O7)的数据被写入该位置。在地址引脚上指定。处于低电平时,来自I/O引脚(I/O8至I/O15)的数据被写入该位置。
 
读取模式
选择芯片时,写使能(WE)输入为高,则发生读操作问题。为低时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW,来自存储器的数据出现在I/O0-7上。处于低电平时,来自内存的数据将出现在I/O8-15上。
 
在读取模式下,可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I/O处于高阻抗状态。由于设备处于读取模式,因此使用有功电流.
 
框图

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