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工业计算内存模块专用MRAM存储器-MR4A16B

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-07-20 15:59:22 0 删除 编辑

并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从 芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,明显改变消费者使用电子没备的方式。
 

研华PCM-23系 列内存模块是用于mPCIe接口的工业级内存模块,能够通过具有不同功能的iDoor技术通过连接器扩展对内存的访问。
 
PCM-23内存模块是可选的扩展内存,用于在事件日志中存储关键数据。断电时,关键数据必须是非易失性的。为了满足非易失性存储器的需求,研华选择了Everspin 
 16Mb MRAM存储器,因为它提供了2MB的非易失性,可靠的数据存储,并具有20年的数据保留时间。全部没有电池或外部电容器。

 
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位构成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性对于这款并行MRAM来说,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。
商宇芯电子支持技术指导及产品解决方案。

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