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Everspin MRAM技术的可靠性

原创 嵌入式/内核开发 作者:宇芯电子 时间:2020-06-02 16:09:50 0 删除 编辑

与大多数其他半导体存储技术不同,数据存储为磁性状态而不是电荷,并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏,因此即使关闭电源,信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动,因此不存在已知的磨损机制。
 
Eve rspin MRAM 器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能,为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。
 
Everspin MRAM技术产品组合


Everspin切换 MRAM 技术



 
Everspin MRAM 与标准CMOS处理集成Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结(MTJ)器件用于存储单元。

 
磁性隧道结存储元件
磁性隧道结(MTJ)存储元件由固定磁性层,薄介电隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时,被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。
 


当自由层的磁矩平行于固定层时,MTJ器件具有低电阻,而当自由层磁矩与固定层矩反平行时,MTJ器件具有高电阻。电阻随设备磁性状态的变化是一种被称为磁阻的效应,因此被称为“磁阻” RAM。
 

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宇芯电子专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。主要产品线有静态随机存储器SRAM,非易发性存储器MRAM,伪静态存储器PSRAM等多种类型随机记忆体及微控制器MCU等半导体产品

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