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分享一款ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM

原创 服务器存储 作者:宇芯电子 时间:2020-06-01 16:02:32 0 删除 编辑

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位 SRAM ,组织为2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术,生产出高性能优质和低功耗的设备。
 
当为高电平(取消选择)或CS2为低电平(取消选择)时,器件将会进入待机模式,在该模式下可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(低写使能)控制存储器的写入和读取。 IS62WV20488EALL 均采用JEDEC标准的48引脚微型BGA(6mm x 8mm)封装。ISSI代理商宇芯电子可提供样品及技术支持.
 
框图
 

 
特征
高速访问时间:45ns,55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW(典型值)运行
– 12 µW(典型值)CMOS待机
·TTL兼容接口级别
·单电源
–1.65V–1.98V Vdd(62 / 65WV20488EALL)
– 2.2V--3.6V Vdd(62 / 65WV20488EBLL)
·完全静态操作:无需时钟或刷新
·工业(-40oC至+ 85oC)和汽车(-40oC至+ 125oC)温度支持
 
 工作温度范围
 




62-65WV20488EALL-BLL.pdf



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