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全新耐高温2Mbit FRAM是ADAS存储的理想之选

嵌入式/内核开发 作者:NETSOL 时间:2020-09-24 14:27:37 0 删除 编辑

FRAM是一种铁电存储器,它使用铁电膜作为电容来存储数据,即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的 FRAM 在高速读写,高读写耐久性,低功耗,防 篡改 等方面具有优势。FRAM结合了ROM和RAM的特点,具有高速写数据,低功耗,高速读/写周期等优点。
 
富士通型号MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高温下正常工作,工作电压可低至1.7V至1.95V,并设有串行外设接口(SPI)。这种全新的FRAM产品是汽车电子控制单元的最佳选择,它能满足汽车市场对诸如ADAS这样的低功耗电子器件的高端需求。
 

 

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装


 

图2:应用实例(ADAS)

 
FRAM的读/写耐久性、写速度和功耗都比EEPROM和FRAM好,我们的FRAM被那些不满足传统非易失性存储器性能的用户所接受。
 
富士通 不断推出64Kbit~2Mbit汽车级FRAM产品,工作电压3.3V或5V。但是高端汽车电控单元的推出,使一些用户开始要求FRAM电压不超过1.8V。这款全新的FRAM是富士通公司为满足这个市场需求而推出的。
 
在-40°C至+125°C的温度范围内,MB85RS2MLY的读/写次数可达10MB,适合某些需要实时数据记录的应用,如连续10年每天记录0.1秒的数据,写入次数将超过30亿。本产品的可靠性测试符合AEC-Q100Grade1标准,并通过了汽车级产品认证。所以就数据写入耐久性和可靠性而言,富士通电子最近推出的 铁电存储器 FRAM完全支持ADAS等应用,需要实时数据记录。

该FRAM产品采用工业标准8-pin SOP封装,可以很容易地替代现有的EEPROM,类似于管脚。提供8-pinDFN(无引线双面平面)封装,外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。

 

图3:8pin DFN和8pin SOP封装

 
关键规格

• 组件型号:MB85RS2MLY
 
• 容量(组态):2 Mbit(256K x 8位)
 
• 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
 
• 运作频率:最高50 MHz
 
• 运作电压:1.7伏特 - 1.95伏特
 
• 运作温度范围:摄氏零下40度 - 摄氏125度
 
• 读∕写耐用度:10兆次 (1013次)
 
• 封装规格:8-pin SOP与8-pin DFN
 
• 认证标准:符合AEC-Q100 Grade 1


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