ITPub博客

首页 > 嵌入式/内核开发 > 嵌入式/内核开发 > eMRAM究竟是融合还是替代?

eMRAM究竟是融合还是替代?

原创 嵌入式/内核开发 作者:NETSOL 时间:2020-04-01 11:46:42 0 删除 编辑

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好。
 
新型存储器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性,更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能优势。例如以统合式  MRAM  解决方案取代微控制器中的eFlash和 SRAM ,可节省90%的功耗。不过目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈。
 
eMRAM等新型存储器芯片将会取代DRAM和 NAND FLASH 成为市场主流吗?eMRAM只会取代部分DRAM和NAND的使用量,但仍是没有办法完全取代现有的存储器解决方案。在所有新一代存储器芯片中,eMRAM的电信特性与DRAM和NAND Flash来说是极其的相似,具备一定的优缺点,并未具备完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存储器芯片对于传统平台来说,需要改变以往的平台架构才能适应,并不是可以轻松使用的。。
 
也就是说新一代存储器想要获得一定的市场空间,还需要与现有的存储器芯片解决方案进行配合,加快适应传统平台的架构,释放性能方面的优势。行业领先半导体供应商的 EVERSPIN 致力于生产研发MRAM,eMRAM存储芯片,满足市场的一切需求。制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的全球领导者,在包括40nm,28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生产中.

来自 “ ITPUB博客 ” ,链接:http://blog.itpub.net/69951841/viewspace-2683777/,如需转载,请注明出处,否则将追究法律责任。

上一篇: MRAM关键工艺步骤
全部评论
深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的

注册时间:2019-12-19

  • 博文量
    104
  • 访问量
    43815