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5G助推NAND FLASH发展

原创 嵌入式/内核开发 作者:NETSOL 时间:2020-03-24 15:01:55 0 删除 编辑

据分析机构最新数据,因数据中心对市场产生的带动作用影响,2019年第四季度的NAND Flash的总出货量季增近10%,市场逐渐出现供不应求现象。经历了一段降价期,NAND Flash存储器终于迎来一小段上升期。随着5G通信和AI技术的发展,数据中心将继续增长。2020年中国新增数据中心市场容量将占全球新增量的50%左右。
 
2020年更多创新技术及成熟技术将在数据中心中被广泛采用。服务器芯片
NAND FLASH 也出现供不应求现象。5G通信和人工智能的发展,数据中心将进一步进行加强新型服务于终端用户。在数据中心供应商已经看到了转型的必要性。2020年的5G等先进技术将首次应用于数据中心,而机器学习及其他AI技术的应用也将创造新的学习和工作方式,以此最大限度地提高员工生产力。这便意味着在新的一年中,数据中心的供应商将有更多的机会发展和增强其现有业务,尽管要充分利用这些技术优势,至少还需要几年时间。
 
数据中心建设也面临一些压力,对于数据中心来说联网危机是最大的压力之一。数据中心网络流量爆炸性增长,大量计算资源浪费于联网,目前80%以上的云服务器节点不提供接入,数据中心联网卸载确实很难实现。
 
2019年第四季度西部数据的出货量季增长24%,NAND Flash营收达18.38亿美元,较上季度增长12.6%。美光第四季度的出货量增长近15%,平均销售单价亦小幅上升,整体营收比上季度增长18.1%,达14.22亿美元。


JSC  NAND FLASH部分型号

Density Bus Part number ECC Voltage Package Type Type
4Gb x8 JS27HU4G08SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
4Gb x16 JS27HU4G16SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
4Gb x8 JS27HU4G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
4Gb x16 JS27HU4G16SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x8 JS27HU2G08SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
2Gb x16 JS27HU2G16SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
2Gb x8 JS27HU2G08SADA-25 1-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x16 JS27HU2G16SADA-25 1-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x8 JS27HU2G08SCN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
2Gb x16 JS27HU2G16SCN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC
2Gb x8 JS27HU2G08SCDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x8 JS27HU2G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x16 JS27HU2G16SCDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC
2Gb x8 JS27HP2G08SCDA-45 4-bit 1.8V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC


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