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高性能异步SRAM技术角度

原创 嵌入式/内核开发 作者:NETSOL 时间:2020-02-28 12:19:38 0 删除 编辑

当前有两个不同系列的 异步SRAM :快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来,这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中,通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管,因此会加剧存取延迟,而且在此过程中会延长存取时间。在快速SRAM中,存取时间占首要地位,因此不能使用这些技术。此外要减少传播延迟,需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大会增大漏电流,从而增加整体待机功耗。
 
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。这种工作模式有助于为大部分时间都处于待机状态下的应用省电。该控制器可在正常工作中全速运行,但事后则进入低功耗模式,以便节省电源。使所连接的
SRAM 也具有类似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的异步快速SRAM是这类应用的理想选择。这种SRAM芯片有一个附加输入引脚,有助于用户在不同的工作模式(正常、待机和深度睡眠)间切换。因此可在不影响性能的情况下管理低功耗。
 
到目前位置的典型SRAM应用接受这种权衡:电池供电应用使用低功耗SRAM(降低性能),有线工业高性能应用则使用快速SRAM。不过对于物联网及其它众多高级应用来说,这种权衡不再适用。主要原因是对于大部分这些应用而言,不仅高性能很重要,同时还必须限制待机功耗,因为这些应用大多采用电池供电工作。非常幸运的是,SRAM正在缩小这两个系列之间的性能差距,正逐渐发展成具有这两种优势的单芯片产品。


VTI快速异步SRAM部分型号









Density Org. Part Name Temp. Vcc(V) Speed Package Packing
32Mbit 4M x 8 VTI532LF08TM Industrial 1.8 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532LF08LM Industrial 1.8 8/10 48BGA Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532NF08TM Industrial 3.3 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 4M x 8 VTI532NF08LM Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532LF16TM Industrial 1.8 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532LF16LM Industrial 1.8 8/10 48BGA Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532NF16TM Industrial 3.3 8/10 48TSOP1 Tray
32Mbit 2M x 16 VTI532NF16LM Industrial 3.3 8/10 48BGA Tray

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