ITPub博客

首页 > 嵌入式/内核开发 > 嵌入式/内核开发 > 静态存储SRAM设计

静态存储SRAM设计

原创 嵌入式/内核开发 作者:NETSOL 时间:2020-02-26 11:51:07 0 删除 编辑

SRAM 即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM。现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM。实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用上了SRAM,如数码相机、手机、音响合成器等往往用了几兆字节的SRAM。 实时信号处理电路往往使用双口的SRAM。下面介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计


一个SRAM基本单元有0和1两个电平稳定状态。


SRAM基本单元主要由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接,即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入,第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这实现了两个反相器的输出状态的锁定、保存,即存储了1个位元的状态。


除了6管的SRAM,其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。 这可用于实现多端口(port)的读写访问,如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。


一般说来每个基本单元用的晶体管数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。


访问SRAM时,字线加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通,把基本单元与位线连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。

来自 “ ITPUB博客 ” ,链接:http://blog.itpub.net/69951841/viewspace-2677266/,如需转载,请注明出处,否则将追究法律责任。

上一篇: SRAM结构框图解
请登录后发表评论 登录
全部评论
深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的

注册时间:2019-12-19

  • 博文量
    67
  • 访问量
    26937