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3A游戏爆火,QLC SSD成大势,为什么寿命低却还有那么多人选它?

原创 其他 作者:数码瓜子哥 时间:2020-07-14 16:27:14 0 删除 编辑

喜欢玩游戏的人应该多多少少会 关注 固态 硬盘, 知道固态 硬盘现在已经开始从TLC闪存向着QLC闪存升级, 存储容量进一步扩大。然而 据近日一份行业报告表示,MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次,TLC则会极速下滑到500次,QLC再次下降一个量级到70次, 寿命短成为了大家吐槽 QLC 的主要点。可为什么尽管如此,QLC固态硬盘为什么还在某东有着大几万的购买量呢?

 

宏旺半导体之前说过,QLC全程为Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC颗粒的储存密度比TLC颗粒的储存密度还要高得多,而我们也可以直接将存储密度理解成决定颗粒价格的因素,储存密度越低,价格越贵,反之储存密度越高,价格越便宜。所以可以在不同颗粒相同成本的情况下,QLC能够做出更大的容量,自然的,稳定性也会下降,所以QLC的寿命就成了一个问题。

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那么,QLC究竟有什么魅力?当然,首先是存储容量更大。随着3D NAND技术的发展,以及QLC每个单元存储4bit数据,原厂96层或128层量产的单颗Die容量向1Tb(1024Gb)或以上提升,远远超过当初2D NAND制程128Gb容量瓶颈。未来PLC的到来,相比QLC容量可再提升25%,再加上144层相比96层堆叠层数提升50%,容量可翻倍,单位容量的增加也代表着品牌厂可生产更大容量的SSD,目前消费类SSD容量可达到8TB。

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其次,对于厂家来说,生产成本更低。宏旺半导体了解到, 与上一代64层3D NAND相比,堆叠层数增加了50%,如果量产相同的单颗Die容量,每片Wafer晶圆所产出的GB总量大约可提高近60%;若采用相同96层堆叠,QLC较TLC在每片Wafer晶圆所产出的GB总量大约可提高30%以上,在Wafer成本不变的情况下,单位GB量的成本将明显下滑,SSD整体售价也会更低,尤其是驱动TB级以上容量价格下滑。

 

从上文的 这些数据来看,QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看,不过也别担心,上面的数据是2D NAND工艺下的,3D NAND闪存对工艺要求不高,P/E寿命还是可以看的。就目前市场趋势来看,QLC SSD必然会逐渐成为市场的主流选择。毕竟,从容量和速度优势上来看,它都有着自己的优势。

 

好的固态硬盘离不开精湛的研发和生产技术。作为国内资深存储品牌,宏旺半导体推出的M.2 NVME SSD是新一代的高性能存储产品,拥有更小巧的身形、更强悍的读写速度、更大的容量、更高效的数据处理能力,是高端主本、游戏本、超低本等设备性能的提升利器。

 

3A游戏爆火,QLC SSD成大势,为什么寿命低却还有那么多人选它? 

 

采用NVMe协议,有TLC、QLC两种闪存类型,PCIE3.0x4接口,相较于SATAIII接口,性能和速度得到了大幅提升。理论带宽达到了32Gbps,最高连续读取速度可达2500MB/s,最大连续写入速度是1800MB/s,突破了传统SSD的速度枷锁,加载大型文件的速度更胜以往;内嵌LDPC纠错技术,可极大延长SSD固态硬盘使用寿命;支持AES256、SHA256、RSA2048国际密码算法和SM2、SM



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