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搞清楚时序与频率的区别了吗?哪个对内存性能影响大?宏旺半导体来解答

原创 IT生活 作者:数码瓜子哥 时间:2020-06-22 11:47:15 0 删除 编辑

        众所周知,内存在电脑运行中发挥着不可或缺的桥梁作用。如今,大家在购买内存时,很多人会关注它的容量与价格,但是影响内存的关键两个因素:频率和时序,你是否真的了解呢?

 

内存频率,内存主频和 CPU 主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以 MHz (兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。

 

如今通常使用的内存为 2400MHz ,这是比较大众化的选择,而高端游戏玩家则会选择更高的 3000MHz 甚至 3600MHz 频率的内存给游戏带来更高的体验。但是宏旺半导体这里需要强调一下,购买内存并不是越高频率越好,主要还是看适合不适合自己的电脑。如果你的主板最高只支持 3000MHz 频率,而你花高价购买了 4000MHz 频率的内存,  这就是一种浪费。

 

而内存时序,之前宏旺半导体说过,是描述同步动态随机存取存储器( SDRAM )性能的四个参数: CL TRCD TRP TRAS ,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,如 16-18-18-36 。宏旺半导体了解到,第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数: Command rate (命令速率),通常为 2T 1T ,也写作 2N 1N

 

搞清楚时序与频率的区别了吗?哪个对内存性能影响大?宏旺半导体来解答

 

把内存存储的地方想象成格盘,每个方格都存储着不同的数据。 CPU 需要什么数据,就会向内存发出坐标指令(即 CAS RAS ),内存则根据坐标将数据找出来(这一过程也称为“寻址”),提供给 CPU 进行运算。从 CAS 指令发出到内存接收指令开始执行的这段等待时间,就被称为“ CL ”。寻址时,内存要先在格盘中确定行( Row ),再确定列( Columns )。内存访问到这一行这一列所需要等待的时间。就是“ tRCD ”。

 

内存时序的参数影响随机存储存储器速度的延迟时间,较低的数字通常意味着更快的性能,所以在同代同频率的情况下,内存时序越小越好,一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字,也就是 CL 值,数字越小越好。

 

宏旺半导体总结下来就是,其它条件相同的情况下,频率越高、时序越低的内存条,性能越强。以宏旺半导体推出的 8GB DDR4 SODIMM 商用系列为例,由专业研发团队自主开发设计,是一款高性能、高质量的产品,工作电压为 1.2V ,工作温度 0 ℃至 70 ℃, 260 - pin SODIMM 封装, 2666 Mbps 速率,拥有高容量、高性能等优势,以及可靠性保障,满足了当前 PC 、电脑、电视等主流市场的需求。

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所以一个好的内存条应该要满足:低时序,高容量,高频率这三个条件,至于 RGB ,那就是光污染玩家的喜好了。



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