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宏旺半导体告诉你SLC、MLC、TLC、QLC究竟有什么不同

原创 嵌入式/内核开发 作者:数码瓜子哥 时间:2019-11-20 11:26:03 0 删除 编辑

有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同,也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思,今天宏旺半导体就跟大家系统地梳理一下这些名词分别指什么,它们又有什么不同。

 

在了解这些之前,首先要了解什么是 Flash Memory。Flash Memory就是快闪存储器,即通常说的闪存,是一种非易失性存储器,断电数据也不会丢失。宏旺半导体了解到,根据硬件上存储原理的不同,Flash Memory 主要可以分为 NOR Flash 和NAND Flash 两类:

 

宏旺半导体告诉你SLC、MLC、TLC、QLC究竟有什么不同

 

Nor FLASH 使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,很适合应用于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。

 

相对于Nor FLASH,Nand FLASH强调更高的性能,更低的成本,更小的体积,更长的使用寿命。这使Nand FLASH很擅于存储纯资料或数据等,在嵌入式系统中用来支持文件系统。目前,绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory ,都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

 

NAND Flash 根据存储方式可分为四种:SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-Level Cell )单层式存储,即1bit/cell,存储密度最低、写入数据时电压变化区间小,寿命最长约10万次擦写寿命,稳定性最好,多数应用高端企业级产品。

 

MLC (Multi-Level Cell)闪存,即2bit/cell,多层式存储,双层存储电子结构,存储密度高于SLC,寿命在3000-5000次,应用民用中高端SSD上。

 

TLC (Trinary-Level Cell)闪存,即3bit/cell,是目前最流行的闪存芯片,存储密度是MLC的1.5倍,成本更低,使用寿命也更短,在1000-1500次,但稳定性比较差。

 

QLC(Quad-Level Cel), 每单元可存储4比特数据(4bits/cell),性能、寿命进一步变差,只能经受1000次编程/擦写循环,但是容量进一步提升,成本也继续降低。

 

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宏旺半导体稍稍总结一下,简单来说,这四类当中,SLC的性能最优,价格超高,一般用作企业级或高端发烧友;MLC性能够用,价格适中为消费级SSD应用主流;TLC综合性能最低,价格最便宜,但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能;QLC出现的时间很早,价格便宜,容量大。

 

SLC 是企业级服务器用的,MLC已经逐渐退出市场,目前TLC是普通用户主流存储颗粒。宏旺半导体也有SLC颗粒高性能存储产品,有需要可以来找宏旺聊聊。

 

 

根据与CPU 端接口的不同,NOR Flash可以分为Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 两类。Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上,所存储的内容可以直接映射到 CPU 地址空间,不需要拷贝到 RAM 中即可被 CPU 访问,因而支持片上执行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低,主要通过 SPI 接口与 Host 连接。

 

相信通过上述的分享,大家应该对这些名词有了一定的了解。宏旺半导体ICMAX后期会给大家带来更多与存储行业相关的文章,有什么不明白的欢迎留言私信,一定要记得关注宏旺半导体哦!



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