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联发科MT6166芯片规格书完整资料下载

IT生活 作者:SZX511 时间:2018-11-29 11:34:48 0 删除 编辑

MT 6166是针对高速2G/3G-FDD/TDD多模式智能手机和40 nm CMOS平板电脑的射频收发器。射频收发器功能完全集成。这份文件简要介绍了MT 6166中的RF宏。


主要特性:

全多模射频解决方案(GGE/WCDMA/TDSCDMA)通过3 GPP第8版(HSPA)

-- 21.1Mbps peak DL (Cat. 24: 64QAM)

-- 11.5Mbps peak UL (Cat. 7: 16QAM)

-- SAW-less Quad-band support in GGE mode (GSM850/900/1800/1900)

-- 3G-FDD bands support: Band 1 ~ 10, except band 7.

-- 3G-TDSCDMA bands support: Band 34,39,40


GMSK和8-PSK的直接转换(3G)、两点调制(TPM)和小信号极性(TPM)

-- 发射机不需要外部SAW滤波器(WCDMA/GGE)

-- 特定功率范围功率控制专用功率检测电路


混合直接转换(3G)/低中频(GGE,DC-HSDPA)接收机

-- 接收机不需要外接SAW滤波器(GGE)


低电源电流与直流-直流变换器直接运行

26 MHz内部DCXO或外部VCTCXO操作(带有集成AFC DAC)

-- 三种用于时钟连接/外围集成电路的低噪声附加时钟驱动器

-- 超低功耗32 kHz模式


支持关键Rx和TX规范的RF校准功能(图像抑制、LO反馈、直流偏移)

测温子系统


MT6166系统块图与应用图:


MT6166系统框图


全局偏置

RFSYS有一个全局带隙引用,用于生成各种不同的当前引用,然后分发到不同的子系统。

提供了四种类型的偏置:

1. VBG/RI :温度补偿电流指的是片上聚p电阻器(RI)

2. VPTAT/RI:PTAT电流指的是片上聚-p电阻器(RI)

3. VBG/RT:温度补偿电流校准到外部电阻(RT)

4. VPTAT/RT:校准到外部电阻(RT)的PTAT电流


LDO和电平偏移

RFSYS中的每个子功率域都是根据指定的电源电压从低损耗调节器中调节的。这些都是根据不同的规格要求定制的(例如,噪音、高频转速)。 擦除隔离,直流准确度,启动时间,稳定性和PSSR).总体电力计划如图5所示


参考时钟规范

MT 6166射频系统集成了核心26 MHz Xtal振荡器(DCXO)、AFCDAC和32 kHz低功耗模式。此外,本系统还集成了外部和内部的所有时钟缓冲器。


操作模式(内部DCXO或外部VCTCXO)是通过从基带输入XMODE选择的,具有以下功能

在晶体模式下,xtal直接连接在xo 1和xo 2之间。

在VCTCXO模式中,XO2引脚被重新配置为AFCDAC输出,XO1配置为VCTCXO时钟输入引脚。

由于XMODE的状态被锁定到模块中,因此如果需要,可以使用电源上的引脚状态“捕获”方案来进行基带配置。


高频时钟产生

这是一个integer-N PLL,它为TX DAC产生416 MHz时钟.它工作在26兆赫(16x26兆赫=416兆赫)和416兆赫时钟。某些26 mhz时钟是为同步而生产的。 例如,来自反馈路径的tx动态时钟26 mhz,以便与416 mhz时钟同步。此外,26 mhz时钟的tx adc(功率检测器)也是由这个块产生的。

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